2024年07月09日快讯 工信部拟进一步明确新建和改扩建光伏制造企业及项目产品工艺技术要求
综合精选 2024-07-09 11:01:35
导读
2024年07月09日转载：界面新闻网
工信部公开征求对光伏制造行业规范条件及公告管理办法（征求意见稿）的意见，征求意见稿提出，新建和改...
2024年07月09日转载：界面新闻网
工信部公开征求对光伏制造行业规范条件及公告管理办法（征求意见稿）的意见，征求意见稿提出，新建和改扩建企业及项目产品应满足以下要求：
多晶硅满足《电子级多晶硅》（GB/T12963）3级品以上要求或《流化床法颗粒硅》（GB/T35307）特级品的要求。
多晶硅片（含准单晶硅片）少子寿命不低于5μs，碳、氧含量分别小于6ppma和8ppma；P型单晶硅片少子寿命不低于90μs，N型单晶硅片少子寿命不低于1000μs，碳、氧含量分别小于1ppma和12ppma，其中异质结电池用N型单晶硅片少子寿命不低于700μs，碳、氧含量分别小于1ppma和14ppma。
多晶硅电池、P型单晶硅电池和N型单晶硅电池（双面电池按正面效率计算）的平均光电转换效率分别不低于27%、27%和26%。
多晶硅组件、P型单晶硅组件和N型单晶硅组件（双面组件按正面效率计算）的平均光电转换效率分别不低于17%、28%和21%。
CIGS、CdTe及其他薄膜组件的平均光电转换效率分别不低于16%、15%、15%。
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